參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21100HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 434K
代理商： MRF6S21100HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.83 - j3.0
1.61 - j2.6
1.74 - j2.8
2.44 - j6.3
2.25 - j6.1
2.09 - j5.8
V
DD
= 28
Vdc, I
DQ
= 950 mA,
P
out
= 23 W Avg.
Z
o
= 10
Z
load
f = 2080 MHz
Z
source
2170
2200
1.52 - j2.3
1.59 - j2.5
1.98 - j5.6
1.85 - j5.4
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
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參數(shù)描述
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