參數資料
型號： MRF6S21100HSR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數： 11/12頁
文件大?。?/td> 434K
代理商： MRF6S21100HSR3
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465-06
ISSUE F
NI-780
MRF6S21100HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.774
MAX
1.345
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
19.66
MAX
34.16
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.786
1.70
5.33
19.96
N
Q
R
S
0.772
.118
0.365
0.365
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.788
.138
0.375
0.375
19.60
3.00
9.27
9.27
0.127 REF
0.254 REF
0.381 REF
20.00
3.51
9.53
9.52
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
S
F
aaa
bbb
ccc
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
CASE 465A-06
ISSUE F
NI-780S
MRF6S21100HSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
MIN
0.805
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MIN
20.45
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19.61
19.61
MAX
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20.02
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0.365
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STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
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1
2
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M
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T
A
A
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T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
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B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
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PDF描述
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MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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