- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98038 > MRF6S19120HSR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S19120HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | MRF6S19120HSR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19120HR3 MRF6S19120HSR3
Figure 2. MRF6S19120HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
MRF6S19120 Rev. 0
CUT
OUT
AREA
C9
R1
C5 C7
C1
B1
R2
C3
C4
C11 C10
C13
C6 C8
C12
C14
C2
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
4
APR
09
LAST
SHIP
3
OCT
09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19140HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19140HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19200HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19200HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S19120HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19140HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19140HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。