參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19100HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 407K
代理商： MRF6S19100HSR3
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 22 W Avg., and ηD = 28%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
107
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
106
N-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. 2-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±885 kHz Offset. IM3 Measured in 1.2288 MHz
Bandwidth @
±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY
(%)
f, FREQUENCY (MHz)
100
0
Figure 14. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
(dB)
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PDF描述
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