參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19100HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 407K
代理商： MRF6S19100HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W (PEP), IDQ = 900 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
3rd Order
10
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
10
50
20
40
30
40
10
60
10
100
50
20
VDD = 28 Vdc, IDQ = 900 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier
Spacing, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
40
56
31
P3dB = 51.56 dBm (143.2 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 900 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1
msec(off)
f = 1960 MHz
54
53
52
46
32
33
36
37
Actual
Ideal
P1dB = 50.9 dBm (124.2 W)
55
48
30
10
17
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 900 mA
f = 1960 MHz
100
10
16
15
13
12
11
60
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 32 V
IM3
ηD
Gps
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
200
6
18
0
16.5
10.5
9
25
12
15
28 V
IDQ = 900 mA
f = 1960 MHz
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
20
51
24 V
50
47
49
34
35
38
39
14
50
13.5
7.5
50
75
100
125
150
175
4
200
3
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S19100NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S19120HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19120HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S19100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 WCDMA 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S19100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S19100N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6S19100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 22W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*