參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 14/20頁(yè)
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代理商： MRF6S18100NBR1
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
Z
o
= 5
Ω
Z
load
Z
source
f = 1900 MHz
f = 1780 MHz
f = 1780 MHz
f = 1900 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 100 W
f
MHz
Z
source
Z
load
1780
1.96 - j4.09
1.94 - j2.90
1804
1.90 - j3.86
1.88 - j2.67
1840
1.82 - j3.53
1.80 - j2.42
1880
1.76 - j3.16
1.73 - j1.99
1900
1.72 - j2.97
1.70 - j1.82
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 25. Series Equivalent Source and Load Impedance — 1805-1880 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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