參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6522-70R3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF MOSFETS(RF MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-600, CASE 465D-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： MRF6522-70R3
1
MRF6522–70 MRF6522–70R3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1999
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband
performances of this device makes it ideal for large–signal, common source
amplifier applications in 26 volt base station equipment.
Specified Performance @ Full GSM Band, 921–960 MHz, 26 Volts
Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ)
Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ)
Efficiency @ P1dB — 58% (Typ)
MRF6522–70 Available in Tape and Reel by Adding R3 Suffix to Part
Number. MRF6522–70R3 = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDSS
VGS
ID
PD
65
Vdc
Gate–Source Voltage
±
20
Vdc
Drain Current — Continuous
7
Adc
Total Device Dissipation @ TC
≥
25
°
C
Derate above 25
°
C
159
0.9
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
Tstg
TJ
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
1.1
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
Order this document
by MRF6522–70/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
70 W, 921 – 960 MHz, 26 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET
CASE 465D–02, STYLE 1
REV 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF652 RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF652S RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF653 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF654 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF658 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6522--70R3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6522-70R3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70R3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF652-A 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF652S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*