參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9101NR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
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代理商： MRF5S9101NR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
90
85
65
0
TC = 85_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 12. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
25
_C
30
_C
70
75
80
10
20
30
40
50
60
70
80
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
f = 940 MHz
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
210
1.E+07
1.E+10
90
MTTF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
1.E+09
1.E+08
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9101MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S9101MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9150HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF5S9150HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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