參數(shù)資料
型號： MRF5S4140HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 17/20頁
文件大?。?/td> 832K
代理商： MRF5S4140HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS — 460-470 MHz
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
100
60
25
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
35
40
45
50
200
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1250 mA, f1 = 465 MHz
f2 = 467.5 MHz, TwoTone Measurements
30
10
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
50
0
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
20
30
40
160
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
10
0.1
VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W (PEP)
IDQ = 1250 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 465 MHz
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
39
60
P6dB = 53.57 dBm (227 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1250 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 465 MHz
56
52
44
40
31
27
35
Actual
Ideal
48
19
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
23
P3dB = 52.99 dBm (198 W)
P1dB = 52.21 dBm (166 W)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
AL
T1,
CHANNEL
POWER
(dBc)
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
75
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
35
40
43
30
51
20
59
67
110
10
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1250 mA, f = 465 MHz
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13)
Gps
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
ηD
ACPR
ALT1
TC = 30_C
85
_C
25
_C 30_C
25
_C
60
25
_C
85
_C
25
_C
30
_C
85
_C
55
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
3
OCT
08
LAST
SHIP
14
MA
Y
09
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PDF描述
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