參數(shù)資料
型號： MRF5S21150
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 556K
代理商： MRF5S21150
5
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
I
Gp
,
η
30
10
15
20
25
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 33 W (Avg.), I
DQ
= 1300 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, Peak/Avg. = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
5
13
12
11
10
9
8
7
6
44
35
30
25
20
28
32
36
40
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
E
100
10
14
1
I
DQ
= 1900 mA
1600 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
700 mA
1300 mA
1000 mA
13
12
11
10
1000
1000
55
25
1
I
DQ
= 700 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
1600 mA
1300 mA
1000 mA
1900 mA
10
30
35
40
45
50
100
65
60
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
10
60
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 150 W (PEP), I
DQ
= 1300 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 2140 MHz
5th Order
3rd Order
30
35
40
45
50
55
1
100
47
58
36
P3dB = 53.58 dBm (228 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
Pulsed CW, 5
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 2140 MHz
56
54
52
50
48
37
39
38
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.95 dBm (197 W)
57
55
51
53
49
43
45
46
35
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S9070NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6402 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21150HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S21150R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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