參數(shù)資料
型號(hào): MRF5S21150
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大?。?/td> 556K
代理商: MRF5S21150
11
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B-03
ISSUE B
NI-880
MRF5S21150R3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. DELETED
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.872
MAX
1.345
0.545
0.200
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
13.6
3.73
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
22.15
MAX
34.16
13.8
5.08
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.888
1.70
5.33
22.55
N
Q
R
S
0.871
.118
0.515
0.515
0.007 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.889
.138
0.525
0.525
19.30
3.00
13.10
13.10
0.178 REF
0.254 REF
0.381 REF
22.60
3.51
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
T
G
K
C
E
H
F
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
aaa
bbb
ccc
CASE 465C-02
ISSUE A
NI-880S
MRF5S21150SR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
MIN
0.905
0.535
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MIN
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MAX
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INCHES
N
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0.515
0.515
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0.525
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13.10
13.10
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13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
SEATING
PLANE
2
D
K
C
E
H
F
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
N
(LID)
T
A
A
(FLANGE)
T
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
S
(INSULATOR)
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
bbb
ccc
0.010 REF
0.015 REF
0.254 REF
0.381 REF
aaa
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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