參數資料
型號： MRF5S21130S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁數： 7/12頁
文件大小： 410K
代理商： MRF5S21130S
7
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 12. Series Equivalent Input and Output Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.51 – j2.97
1.59 – j2.68
1.52 – j2.54
2.87 – j9.49
3.13 – j9.86
4.05 – j10.90
5
/1%
(
5
;"%
67
5
2 "89:
6
5
6/
I
$ 5
#+,
$ 5
#+,
6<1=
$ 5
#+,
$ 5
#+,
2170
2200
1.54 – j3.13
1.62 – j2.70
4.80 – j11.75
5.55 – j11.87
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
>7
#71>9
=7@6<A
=81=
>/=<
=7
77
#71>9
=7@6<A
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PDF描述
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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