參數(shù)資料
型號： MRF5S21130S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： MRF5S21130S
5
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
!
"
#
$%'(')
*#+,-
Figure 3. 2–Carrier W–CDMA Broadband Performance
#
!
%
η
3
3
3
3
3
.
5
/1%
23#"%
67
5
2 *"89:-%
(
5
#+, <<=<
0>/@/7% =AB"89:
*-
;"
3<<=<
:
C :D
41>9%
#+, >>=
<67
5 :
/0
3
3
3
3
3
'
(
5
;"
;"
67
%
2'
*2"4-
'
Figure 4. Two–Tone Power Gain versus
Output Power
!
%
5
/1
#+,% $ 5
#=<=;=>7%
$ 5
@636>=
#+,
#+, 6>= 41>9
;"
;"
;"
:
:
:
:
3
3
67
%
2'
*2"4-
'
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
#
'
3
3
3
3
3
3
3
;"
;"
(
5
;"
;"
;"
5
/1
#+,%
#+,
#=<=;=>7%
$ 5
$ 5
@636>=
#+, 6>= 41>9
3
3
:
23'
4"!
*#+,-
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
'
#
3
3
3
3
3
3
/=
/0
5 :
/0; *
2-
"17
>
%
2'
*/0;-
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
6
5
/1%
(
5
2%
μ
=1*6>-% ;=1*6$$-
=>7=< <=E=>1
;"
=/
5
#+,
/0
5 :
/0; *:
2-
5
/1%
#=<=;=>7%
67
5
2 *'-%
=>7=< <=E=>1
(
5
;"
@636>=
5
#+,
</ </=<
7 </=<
7 </=<
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*