參數(shù)資料
型號： MRF5S21130
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： MRF5S21130
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
3
3
3
3
3
η
3
3
!
"
67
%
2'
*2"4-
"!: *23#"-
Figure 8. 2–Carrier W–CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
#
%
η
!
%
3
3
3
3
3
3
#
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
$%'(')
*#+,-
3
3
3
3
3
3
3
*
3
3
3
3
:
>>=
#+,
02
3# C
:
#+, 02
#
:
C
#+, 02
3"
:
C
#+, 02
"
:
C
#+, 02
:
'"F33"'"!'
*/0-
Figure 10. CCDF W–CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
0
:
:
:
5
/1%
(
5
#+,% G 23#"%
#+, 0>/@/7% =AB"89:
C :D
<67
;"% $ 5
#+,%
$ 5
:
#+, C
5 :
/0
*-
H
% H
'#'"'
*
°
-
Figure 11. MTBF Factor versus Junction Temperature
#
/<> 1<<=>7: $= 7=7 7 ==87=/ 7=;=<7<=
=77=< 7>
±
D
6$ 7= 7=6<=71 <=/176> $6< ;=7 $<=:
#0
$176<
$6< #0
68=
9<
/
117=/
#0
> 6< G ;=<=
8= 16<<=7=/ 76
8/=
> <71<
176>:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF5S21130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*