- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98038 > MRF5S21100L (MOTOROLA INC) S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S21100L |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | MRF5S21100L |
MRF5S21100L MRF5S21100LR3 MRF5S21100LSR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
B1
R2
C4
C12
C9
C3
C10
C5
C11
C6
C7 C8
W1
R4
C15
C14
C13
C1
R3
R1
C2
Figure 2. MRF5S21100L Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
VGG
VDD
MRF5S21100L
Rev 03
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21130HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130SR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S21100LR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21100LSR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。