參數(shù)資料
型號： MRF5S21045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 564K
代理商： MRF5S21045NR1
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
9
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
110
130
160
180
200
M
2
)
100
120
140 150
170
190
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
P
(
+20
+30
0
10
40
50
60
70
80
20
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
30
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
10 MHz Offset. PAR =
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PDF描述
MRF5S21045 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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