參數(shù)資料
型號： MRF5S21045
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 510K
代理商： MRF5S21045
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
G
p
,
I
I
20
8
11
14
17
I
I
22
10
13
16
19
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 10 Watts
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
13.4
15.2
15
44
32
28
24
20
16
32
36
40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
11
17
1
I
DQ
= 800 mA
650 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
15
13
12
10
40
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
30
100
60
50
η
D
,
E
η
D
η
D
,
E
G
p
,
I
I
14.8
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
28
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.), I
DQ
= 500 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
2220
2060
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
13
14.8
34
46
42
38
34
30
22
26
30
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
18
14.6
IRL
G
ps
ACPR
IM3
η
D
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.), I
DQ
= 500 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
16
14
500 mA
350 mA
200 mA
I
DQ
= 200 mA
650 mA
800 mA
500 mA
350 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
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