參數(shù)資料
型號： MRF5S21045
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 510K
代理商： MRF5S21045
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TO-272 WB-4
MRF5S21045NBR1(MBR1)
éééééé
éééééé
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éééééé
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éééééé
éééééé
éééééé
éééééé
éééééé
CASE 1484-02
ISSUE B
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT TOP OF LEAD
AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE THE
LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE TOP OF
THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. HATCHING REPRESENTS THE EXPOSED AREA OF
THE HEAT SLUG.
DATUM
PLANE
Y
Y
DIM
A
A1
A2
MIN
.100
.039
.040
MAX
.104
.043
.042
MIN
2.54
0.99
1.02
MAX
2.64
1.09
1.07
MILLIMETERS
INCHES
D2
E
E1
.600
.551
.353
.559
.357
15.24
14.2
9.07
E2
E3
.270
.346
.350
6.86
8.79
8.89
D
D1
.928
.810 BSC
.932
23.57
20.57 BSC
23.67
14
8.97
b1
c1
r1
.164
.007
.063
.106 BSC
.004
.170
.011
.068
4.17
.18
1.60
2.69 BSC
.10
4.32
.28
1.73
e
aaa
B
A
E1
D
4X
b1
aaa
D1
E
GATE LEAD
M
C A
M
aaa
C A
D2
E2
VIEW Y-Y
4X
e
F
.025 BSC
0.64 BSC
A1
C
H
c1
A
ZONE J
SEATING
PLANE
PIN 5
2X
r1
B
DRAIN LEAD
F
A2
7
NOTE 8
1
2
3
4
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
E3
E3
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