參數(shù)資料
型號： MRF5S19150R3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 428K
代理商： MRF5S19150R3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
Fr
eescale
Semiconductor
,Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
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TYPICAL CHARACTERISTICS
10
0
45
70
25
Gps
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG., NCDMA
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, Drain Efficiency versus Output Power
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
η
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
ACPR
η
40
30
35
30
40
25
45
20
50
15
55
10
60
5
65
1
100
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
(dB)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
+ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
220
106
109
100
Figure 10. MTBF Factor versus Junction Temperature
MTBF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
108
107
120
140
160
180
200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTBF factor by ID2 for MTBF in a particular application.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19150S L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21045MBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S21045MR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S21045NR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S21045NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S19150SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S21045 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S21045MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21045MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21045NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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