參數(shù)資料
型號： MRF581A
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 240K
代理商： MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
°
C)
STATIC
(off)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
18
15
Max.
Unit
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage MRF581
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0) MRF581A
-
-
Vdc
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IE = 0)
30
-
-
Vdc
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 0.1 mAdc, IC = 0)
2.5
-
-
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCE = 15 Vdc, VBE = 0 Vdc)
-
-
0.1
mA
IEBO
Collector Cutoff Current
(VCE = 2.0 Vdc, VBE = 0 Vdc)
-
-
0.1
mA
(on)
HFE
DC Current Gain MRF581
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) MRF581A
50
90
-
200
250
-
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
COB
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
-
2.0
3.0
pF
Ftau
Current-Gain Bandwidth Product
(IC = 75 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 GHz)
-
5.0
-
GHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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