參數(shù)資料
型號(hào): MRF581A
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 240K
代理商: MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
DESCRIPTION
Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
MRF581
18
MRF581A
15
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
30
2.5
200
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 50oC
Derate above 50oC
2.5
25
Watts
mW/ o
C
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25oC
Derate above 25oC
1.25
10
Watts
mW/ o
C
Tstg
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
o
C
T
Jmax
Maximum Junction Temperature
150
o
C
Macro X
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
High Gain,
Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective MacroX Package
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk
MRF581LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel