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參數(shù)資料
| 型號： | MRF377HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 8/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 780K |
| 代理商： | MRF377HR3 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF377HR3 MRF377HR5
Figure 8. 470-860 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
C27
C30
C29
C25
C26
C23
C7
L5
Balun 2
V
DD
C18
C34
C17
V
DD
C31
C32
L7
L6
C28
C13
C11
C14
C12
C15
L1
C22
Balun 1
V
GG
B2
C21
L2
V
GG
C24
C19
C20
C10
L4
C1
C4
C5
C2
C6
C3
B1
C9
L3
R2
R1
C33
C8
L8
DS1047 Rev 4
DS1047 Rev 4
C16
Multilayer Balun Mounting Detail
Topside View
Upside Down View
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF377 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF377R5 | Pressure Transducer, Series 19 mm, Uncompensated, Pressure Range: 0 psi to 10 psi, Gage, flush mount with flange, 10 Vdc excitation |
| MRF377R3 | Pressure Transducer, Series 19 mm, Uncompensated, Pressure Range: 0 psi to 10 psi, Gage, flush mount, 10 Vdc excitation |
| MRF377HR5 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF421 | TRI GASKET FLG 24 BULK/100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF377HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF377HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 250W 860MHZ 32V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF377R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF377R5 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF3866 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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