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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF275G |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 375-04, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/16頁(yè) |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | MRF275G |
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Figure 13. 225 MHz Test Circuit
C1
8.0 – 60 pF, Arco 404
C2, C3, C7, C8
1000 pF, Chip Capacitor
C4, C9
0.1
F, Chip Capacitor
C5
180 pF, Chip Capacitor
C6
100 pF and 130 pF,
Chips in Parallel
C10
0.47
F, Chip Capacitor, 1215 or
Equivalent, Kemet
L1
10 Turns AWG #16, 1/4
″ I.D.,
Enamel Wire, Close Wound
L2
Ferrite Beads of Suitable Material
for 1.5 – 2.0
H Total Inductance
Board material
062
″ fiberglass (G10),
εr ^ 5, Two sided, 1 oz. Copper.
Unless otherwise noted, all chip capacitors
are ATC Type 100 or Equivalent.
R1
100
, 1/2 W
R2
1.0 k
, 1/2 W
T1
4:1 Impedance Ratio, RF Transformer
Can Be Made of 25
, Semi Rigid Coax,
47 – 52 Mils O.D.
T2
1:9 Impedance Ratio, RF Transformer.
Can Be Made of 15 – 18
, Semi Rigid
Coax, 62 – 90 Mils O.D.
NOTE: For stability, the input transformer T1 should be loaded
NOTE: with ferrite toroids or beads to increase the common
NOTE: mode inductance. For operation below 100 MHz. The
NOTE: same is required for the output transformer.
BIAS 0 – 6 V
R1
C3
C4
R2
C1
C2
T1
C5
D.U.T.
C6
T2
C7
L1
C8
C9
L2
C10
+
–
28 V
8
REV 1
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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