- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98036 > MRF275G 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF275G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 375-04, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | MRF275G |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)當(dāng)前第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2. Output Power versus Input Power
250
Pin, INPUT POWER (Watts)
0
10
50
150
100
Figure 3. Output Power versus Gate Voltage
0
–8
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (V)
160
20
515
120
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
–10
0
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
200
–6
–4
Figure 4. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)
10
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (V)
0
4
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
140
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
2
20
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
40
0
120
Figure 7. Output Power versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
0
200
0
100
60
14
16
12
80
200
300
18
20
28
180
3
5
6
7
60
100
80
20
3
15
140
160
250
150
25
IDQ = 2 x 100 mA
VDD = 28 V
4
2
VDS = 28 V
IDQ = 2 x 100 mA
Pin = Constant
f = 500 MHz
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
9
8
24
10 W
6 W
Pin = 14 W
VDS = 10 V
VGS(th) = 2.5 V
500 MHz
400 MHz
225 MHz
40
–2
2
4
1
4.5
2.5
0.5
3.5
1.5
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
120
0
80
40
160
22
26
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
20
100
60
180
140
10 W
6 W
Pin = 14 W
IDQ = 2 x 100 mA
f = 400 MHz
50
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
10 W
12 W
IDQ = 2 x 100 mA
f = 225 MHz
IDQ = 2 x 100 mA
f = 500 MHz
14
16
12
18
20
28
24
22
26
14
16
12
18
20
28
24
22
26
4
REV 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LSR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF275L | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF281 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF281SR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF281SR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF281ZR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。