參數(shù)資料
型號： MRF20030
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTOR
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： MRF20030
MRF20030
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
3.5
I
Figure 9. DC Class A Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR SUPPLY VOLTAGE (Vdc)
Figure 10. Performance in Broadband Circuit
f, FREQUENCY (MHz)
3
2.5
1.5
0.5
0
28
24
20
16
12
8
4
0
TJ = 175
°
C
2000
1900
1850
1800
11
10
9.5
9
38
34
32
28
C
I
Figure 11. Class A Third Order Intercept Point
Pin, INPUT POWER (dBm)
50
40
30
20
10
0
60
40
20
0
–20
–40
G
P
2
1
10.5
36
FUNDAMENTAL
VCC = 24 Vdc
ICQ = 1.8 Adc
f1 = 2000.0 MHz
f2 = 2000.1 MHz
3rd Order
MTBF LIMITED
Gpe
VSWR
η
Pout = 30 W (PEP)
VCC = 26 Vdc
ICQ = 125 mA
1950
1.7:1
1.1:1
Figure 12. MTBF Factor versus
Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere2
emitter current. Life tests at elevated temperatures have correlated
to better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure.
Divide MTBF factor by IC2 for MTBF in a particular application.
250
200
150
100
50
0
1.E+08
1.E+07
1.E+05
1.E+04
1.E+03
1.E+02
M
1.E+06
1.E+09
1.E+10
2
4
Tflange = 75
°
C
Tflange = 100
°
C
B
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