參數(shù)資料
型號： MRF19125SR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： MRF19125SR3
3
MRF19125 MRF19125S MRF19125SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
—
continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Two
–
Tone Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
G
ps
—
13.5
—
dB
Two
–
Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
—
35
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
–
30
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
–
13
—
dB
P
out
, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 1300 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
—
130
—
W
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PDF描述
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