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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF19125SR3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/12頁(yè) |
| 文件大小： | 362K |
| 代理商： | MRF19125SR3 |
MRF19125 MRF19125S MRF19125SR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain
–
Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Gate
–
Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
g
fs
—
9
—
S
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 300
μ
Adc)
V
GS(th)
2
—
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 1300 mAdc)
V
GS(Q)
2.5
3.9
4.5
Vdc
Drain
–
Source On
–
Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
V
DS(on)
—
0.185
0.21
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Reverse Transfer Capacitance (1)
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
5.4
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture) 2
–
Carrier N
–
CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers. Peak/Avg = 9.8 dB
@ 0.01% Probability on CCDF.
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 24 W Avg, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
G
ps
12
13.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 24 W Avg, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
η
19
22
—
%
Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 24 W Avg, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; IM3 measured
over 1.2288 MHz Bandwidth at f1
–
2.5 MHz and f2 +2.5 MHz)
IMD
—
–
37
–
35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 24 W Avg, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; ACPR
measured over 30 kHz Bandwidth at f1
–
885 MHz and f2 +885 MHz)
ACPR
—
–
51
–
47
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 24 W Avg, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
IRL
—
–
13
–
9
dB
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 125 W CW, I
DQ
= 1300 mA, f = 1930 MHz,
VSWR = 5:1, All Phase Angles at Frequency of Test)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) Part is internally matched both on input and output.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF1946A | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1946 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF1946A | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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| MRF1K50HR5 | 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:LDMOS 頻率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:1500W 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:SOT-979A 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4H 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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