參數(shù)資料
型號： MRF19120S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： MRF19120S
3
MRF19120 MRF19120S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
—
continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W CW, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz)
500 mA,
η
—
45
—
%
Output Mismatch Stress
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W CW, IDQ = 2
f = 1990 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
500 mA,
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) Each side of device measured separately.
(2) Device measured in push
–
pull configuration.
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