參數(shù)資料
型號： MRF19120S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 178K
代理商： MRF19120S
MRF19120 MRF19120S
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
(1)
Drain
–
Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 10
μ
Adc)
V(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Gate
–
Source Leakage Current
(VGS = 5 Vdc, VDS = 0 Vdc )
IGSS
—
—
1
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0)
IDSS
—
—
10
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
(1)
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 2 Adc)
gfs
—
4.8
—
S
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 V, ID = 300
μ
A)
VGS(th)
2.5
3
3.8
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 V, ID = 500 mA)
VGS(Q)
3
3.9
5
Vdc
Drain
–
Source On
–
Voltage
(VGS = 10 V, ID = 2 A)
VDS(on)
—
0.38
0.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
—
2.8
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture) (2)
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
500 mA, MRF19120
MRF19120S
Gps
10.7
10.5
11.7
11.7
—
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
500 mA,
η
30
34
—
%
Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
500 mA, MRF19120
MRF19120S
IMD
—
—
–
31
–
31
–
28
–
27
dB
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
500 mA,
IRL
9
12
—
dB
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
500 mA,
Gps
—
11.7
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
500 mA,
η
—
34
—
%
Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
500 mA,
IMD
—
–
31
—
dB
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W PEP, IDQ = 2
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
500 mA,
IRL
—
14
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, CW, IDQ = 2
500 mA, f1 = 1990.0 MHz)
P1dB
—
120
—
Watts
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 120 W CW, IDQ = 2
f1 = 1990.0 MHz)
500 mA,
Gps
—
11
—
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF21030 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF21030S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF373 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF373S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF587 High-Frequency NPN Transistor(高頻率NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF19125 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391
MRF19125R3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19125R5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19125S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125SR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*