參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18090A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 155K
代理商： MRF18090A
MRF18090A MRF18090AS
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
C5
VSUPPLY
C3
C1
R1
R2
R6
R3
R4
TL3
T1
T2
C7
TL2
RF
INPUT
RF
OUTPUT
TL1
C8
TL4
+
Figure 3. 1.80 – 1.88 GHz Demo Board Schematic
Figure 4. 1.80 – 1.88 GHz Demo Board Component Layout
C1, C3
C2
C4
C5
C6, C7
C8, C9, C10
1 F, Chip Capacitor 0805
0.1 F, Chip Capacitor 0805
1 nF, Chip Capacitor 0805
220 F, 50 V Electrolytic Capacitor
8.2 pF, 100A Chip Capacitor
22 pF, 100A Chip Capacitor
R1
R2, R3
R4
R5
R6
T1
T2
TL1 – TL4
Substrate = 0.5 mm Teflon
Glass
10
, Chip Resistor 0805
1 k
, Chip Resistor 0805
2.2 k
, Chip Resistor 0805
10 k
, Chip Resistor 0603
5 k
, SMD Potentiometer
LP2951 Micro–8 Voltage Regulator
BC847 SOT–23 NPN Transistor
Printed Transmission Lines
R5
C2
C4
C6
C10
C9
C2
V
Ground
C1
R2
R3
R1
R4
R6
T1
T2
C8
C9
R5
C3
C6
C7
C5
C4
M
SUPPLY
MRF18090A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18090AS RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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MRF184 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184S LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF18090AR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF18090AS 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18090BS 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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