參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18090A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： MRF18090A
MRF18090A MRF18090AS
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 Vdc, ID = 100
μ
Adc)
V(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0)
IDSS
—
—
10
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 5 Vdc, VDS = 0)
IGSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 Vdc, ID = 750 mAdc)
VGS(Q)
2.5
3.7
4.5
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 1 Adc)
VDS(on)
—
0.1
—
Vdc
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 3 Adc)
gfs
—
7.2
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
—
4.2
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Common–Source Amplifier Power Gain @ 90 W (1)
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 750 mA, f = 1805 – 1880 MHz)
Gps
12.0
13.5
—
dB
Drain Efficiency @ 90 W (1)
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 750 mA, f = 1805 – 1880 MHz)
η
47
52
—
%
Input Return Loss (1)
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W CW, IDQ = 750 mA,
f = 1805 – 1880 MHz)
IRL
10
—
—
dB
Output Mismatch Stress
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W CW, IDQ = 750 mA VSWR = 10:1,
All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) To meet application requirements, Motorola test fixtures have been designed to cover the full GSM1800 band, ensuring batch–to–batch
consistency.
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PDF描述
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MRF184 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184S LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF18090AS 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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