參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18085BLSR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF power field effect transistors
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 610K
代理商： MRF18085BLSR3
5
MRF18085BR3 MRF18085BLSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Performed on a GSM EDGE Optimized Demo Board)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
10
Figure 6. Error Vector Magnitude versus
Frequency
0
f, FREQUENCY (GHz)
5
1.5
G
1.91
E
Figure 7. Power Gain versus Output Power
14
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
9
Figure 8. EVM and Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm) AVG.
1
0
34
36
6
10
0.5
100
2.5
1.98
1.95
11
η
,
0
20
Figure 9. Power Gain and IRL
versus Frequency
14
f, FREQUENCY (GHz)
11
1.85
13.5
2.05
1.95
1.90
2.00
10
13
14
1.97
40
38
50
14
13
11
9
8
11
12
1.94
1.96
3.5
60
80
12
13
3
2
4
5
10
G
30
15
25
20
5
10
12
11.5
1
1.93
1.99
1.92
4.5
100
2
1
3
4
2.0
Figure 10. Power Gain and Efficiency
versus Output Power
16
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
10
14
10
1
100
G
60
30
10
0
20
50
40
12
E
G
42
44
46
48
15
13
11
12.5
13
V
DD
= 26 Vdc
f = 1.96 GHz
600 mA
400 mA
800 mA
I
DQ
= 1000 mA
P
out
= 38 W Avg.
28 W Avg.
19 W Avg.
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 800 mA
24 V
V
DD
= 20 V
32 V
28 V
G
ps
EVM
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 800 mA
30 W
30 W
80 W
80 W
G
ps
9.5
10.5
11.5
12.5
13.5
G
40
12
35
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 800 mA
f = 1.96 GHz
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18085BR3 RF power field effect transistors
MRF281 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF281SR1 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF281ZR1 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9030 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF18085BR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18090A 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090AR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF18090AS 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*