參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18030ALR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 508K
代理商： MRF18030ALR3
MRF18030ALR3 MRF18030ALSR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
1950
10
16
1750
30
0
IRL @ 15 W
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
T = 25 C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Wideband Gain and IRL at 30 W and
15 W Output Power
I
I
Gp
G
ps
@ 15 W
G
ps
@ 30 W
IRL @ 30 W
15
5
14
10
13
15
12
20
11
25
1800
1850
1900
1920
0
40
1780
P
in
= 2 W
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
T = 25 C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Power versus Frequency
1 W
0.5 W
0.25 W
35
30
25
20
15
10
5
1800
1820
1840
1860
1880
1900
Po
100
10
16
0.1
I
DQ
= 400 mA
300 mA
V
DD
= 26 Vdc
f = 1840 MHz
T = 25 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Gp
200 mA
100 mA
15
14
13
12
11
1
10
48
9
16
24
T = 25 C
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Gp
55 C
85 C
15
14
13
12
11
10
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
100
9
0.1
V
DD
= 22 Vdc
30 V
I
DQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
T = 25 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Power Gain versus Output Power
Gp
28 V
26 V
24 V
15
14
13
12
10
11
1
10
G
ps
100
10
16
0.1
0
60
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 8. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
Gp
,
η
η
15
50
14
40
13
30
12
20
11
10
1
10
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18030ALSR3 SEE A3282EUA-T
MRF18060B CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING
MRF18060BLSR3 HALL EFFFECT LATCH, SMD, SOT23W-3; Temp, op. min:-40(degree C); Temp, op. max:150(degree C); Pins, No. of:3; Case style:SOT-23W; Base number:3282; Bop, max:150G; Termination Type:SMD; Temperature, operating range:-40(degree C) to RoHS Compliant: Yes
MRF18060BR3 SEE A3282LUA-T
MRF18060BSR3 CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF18030ALSR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF18030ALSR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF18030BLR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18030BLSR3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF18030BR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS
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