參數(shù)資料
型號： MRF16006
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 395C-01, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： MRF16006
MRF16006
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 40 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CES
55
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 40 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
55
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 2.5 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 28 Vdc, VBE = 0)
ON CHARACTERISTICS
ICES
—
—
2.5
mAdc
DC Current Gain
(ICE = 0.2 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
hFE
20
—
80
—
Output Capacitance
(VCB= 28 Vdc, f = 1.0 MHz)
FUNCTIONAL TESTS
Cob
11
—
—
pf
Common–Base Amplifier Power Gain
(VCC = 28 Vdc, Pout = 6 Watts, f = 1600/1640 MHz)
Gpe
7.4
—
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 28 Vdc, Pout = 6 Watts, f = 1600/1640 MHz)
η
40
45
—
%
Return Loss
(VCC = 28 Vdc, Pout = 6 Watts, f = 1600/1640 MHz)
IRL
—
8.0
—
dB
Output Mismatch Stress
(VCC = 28 Vdc, Pout = 6 Watts, f = 1600 MHz, Load
VSWR = 3:1 all phase angles at frequency of test)
ψ
No Degradation in Output Power
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