參數(shù)資料
型號： MRF1570NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/18頁
文件大?。?/td> 441K
代理商： MRF1570NT1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
80
5
17
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 15. Gain versus Output Power
Gp
400 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
15
13
11
9
7
10
20
30
40
50
60
70
80
0
70
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 16. Drain Efficiency versus Output Power
η
60
50
40
30
20
10
10
20
30
40
50
60
70
400 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
1600
50
90
400
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus Biasing Current
Po
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
70
60
600
800
1000
1200
1400
0
400
100
Figure 18. Drain Efficiency versus Biasing Current
,
η
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
1600
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
600
800
1000
1200
1400
80
60
40
20
40
100
10
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Output Power versus Supply Voltage
Po
P
in
= 38 dBm
I
DQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
90
80
70
60
50
11
12
13
14
15
Figure 20. Drain Efficiency versus Supply Voltage
,
η
0
100
10
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P
in
= 38 dBm
I
DQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
40
60
20
11
12
13
14
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