參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1517T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： POWER, PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/16頁
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代理商： MRF1517T1
MRF1517T1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 35 Vdc, VGS = 0)
IDSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 10 Vdc, VDS = 0)
IGSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(VDS = 7.5 Vdc, ID = 120
μ
Adc)
VGS(th)
1.0
1.7
2.1
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 1 Adc)
VDS(on)
—
0.5
—
Vdc
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 2 Adc)
gfs
0.9
—
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 7.5 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
—
66
—
pF
Output Capacitance
(VDS = 7.5 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Coss
—
38
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 7.5 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
—
6
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 7.5 Vdc, Pout = 8 Watts, IDQ = 150 mA, f = 520 MHz)
Gps
10
11
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 7.5 Vdc, Pout = 8 Watts, IDQ = 150 mA, f = 520 MHz)
η
50
55
—
%
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