參數(shù)資料
型號(hào): MRF1517T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: POWER, PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 10/16頁(yè)
文件大?。?/td> 193K
代理商: MRF1517T1
MRF1517T1
10
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 1. Common Source Scattering Parameters (VDD = 7.5 Vdc)
IDQ = 150 mA
S21
f
MHz
S11
S12
S22
|S11|
0.84
φ
|S21|
17.66
φ
|S12|
0.016
φ
|S22|
0.77
φ
50
–152
97
0
–167
100
0.84
–164
8.86
85
0.016
5
0.78
–172
200
0.86
–170
4.17
72
0.015
–5
0.79
–173
300
0.88
–171
2.54
62
0.014
–8
0.80
–172
400
0.90
–172
1.72
55
0.013
–25
0.83
–172
500
0.92
–172
1.28
50
0.013
–10
0.84
–172
600
0.94
–173
0.98
46
0.014
–22
0.86
–171
700
0.95
–173
0.76
41
0.010
–30
0.86
–172
800
0.96
–174
0.61
38
0.011
–14
0.86
–171
900
0.96
–175
0.50
33
0.011
–31
0.85
–172
1000
0.97
–175
0.40
31
0.006
55
0.88
–171
IDQ = 800 mA
S21
f
MHz
S11
S12
S22
|S11|
0.90
φ
|S21|
20.42
φ
|S12|
0.018
φ
|S22|
0.76
φ
50
–165
94
1
–164
100
0.89
–172
10.20
87
0.015
–7
0.77
–170
200
0.90
–175
4.96
79
0.015
–12
0.77
–172
300
0.90
–176
3.17
73
0.017
–2
0.80
–171
400
0.91
–176
2.26
67
0.013
1
0.82
–172
500
0.92
–176
1.75
63
0.011
–6
0.83
–171
600
0.93
–176
1.39
59
0.012
–31
0.85
–171
700
0.94
–176
1.14
55
0.015
–34
0.88
–171
800
0.94
–176
0.93
51
0.008
–22
0.87
–171
900
0.95
–177
0.78
45
0.007
2
0.87
–172
1000
0.96
–177
0.65
43
0.008
–40
0.90
–170
IDQ = 1.5 A
S21
f
MHz
S11
S12
S22
|S11|
0.92
φ
|S21|
19.90
φ
|S12|
0.017
φ
|S22|
0.76
φ
50
–165
95
3
–164
100
0.90
–172
9.93
88
0.018
2
0.77
–170
200
0.91
–176
4.84
80
0.016
–4
0.77
–172
300
0.91
–176
3.10
74
0.014
–11
0.80
–172
400
0.92
–176
2.22
68
0.014
–14
0.81
–172
500
0.93
–176
1.73
64
0.016
–8
0.83
–171
600
0.94
–176
1.39
61
0.013
–24
0.85
–171
700
0.94
–176
1.12
56
0.013
–24
0.87
–171
800
0.95
–176
0.93
52
0.009
–12
0.87
–171
900
0.96
–177
0.78
46
0.008
10
0.87
–173
1000
0.97
–177
0.64
44
0.012
4
0.89
–169
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF1535FNT1 RF Power Field Effect Transistors
MRF1535T1 RF Power Field Effect Transistor
MRF1535NT1 RF Power Field Effect Transistors
MRF1535FT1 RF Power Field Effect Transistors
MRF16006 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF1518N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1518NT1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FET PLD1.5N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF1518NT1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1518NT1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1518T1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR