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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF1517NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | MRF1517NT1 |
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8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 440 - 480 MHz
2
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
1
4
E
30
60
40
3
5
E
Figure 22. Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 23. Drain Efficiency versus Output Power
2
G
1
Figure 24. Output Power versus Biasing Current
12
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 25. Drain Efficiency versus Biasing Current
80
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 26. Output Power versus Supply Voltage
5
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 27. Drain Efficiency versus Supply Voltage
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
9
8
5
0
40
60
30
400
0
8
12
600
1000
80
2
4
6
9
17
200
50
4
11
P
200
1000
400
600
P
6
9
10
7
6
7
8
10
3
5
70
60
2
E
50
70
30
20
10
6
8
7
9
10
15
6
8
7
9
10
11
800
8
10
800
6
10
480 MHz
440 MHz
460 MHz
480 MHz
440 MHz
460 MHz
480 MHz
440 MHz
460 MHz
480 MHz
440 MHz
460 MHz
480 MHz
440 MHz
460 MHz
480 MHz
440 MHz
460 MHz
40
4
P
in
= 27.5 dBm
V
DD
= 7.5 Vdc
V
DD
= 7.5 Vdc
P
in
= 27.5 dBm
P
in
= 27.5 dBm
P
in
= 27.5 dBm
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