參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1517NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： MRF1517NT1
MRF1517NT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 7.5 Vdc)
I
DQ
= 150 mA
f
MHz
S
11
S
21
S
12
S
22
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.84
-152
17.66
97
0.016
0
0.77
-167
100
0.84
-164
8.86
85
0.016
5
0.78
-172
200
0.86
-170
4.17
72
0.015
-5
0.79
-173
300
0.88
-171
2.54
62
0.014
-8
0.80
-172
400
0.90
-172
1.72
55
0.013
-25
0.83
-172
500
0.92
-172
1.28
50
0.013
-10
0.84
-172
600
0.94
-173
0.98
46
0.014
-22
0.86
-171
700
0.95
-173
0.76
41
0.010
-30
0.86
-172
800
0.96
-174
0.61
38
0.011
-14
0.86
-171
900
0.96
-175
0.50
33
0.011
-31
0.85
-172
1000
0.97
-175
0.40
31
0.006
55
0.88
-171
I
DQ
= 800 mA
S
21
f
MHz
S
11
S
12
S
22
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.90
-165
20.42
94
0.018
1
0.76
-164
100
0.89
-172
10.20
87
0.015
-7
0.77
-170
200
0.90
-175
4.96
79
0.015
-12
0.77
-172
300
0.90
-176
3.17
73
0.017
-2
0.80
-171
400
0.91
-176
2.26
67
0.013
1
0.82
-172
500
0.92
-176
1.75
63
0.011
-6
0.83
-171
600
0.93
-176
1.39
59
0.012
-31
0.85
-171
700
0.94
-176
1.14
55
0.015
-34
0.88
-171
800
0.94
-176
0.93
51
0.008
-22
0.87
-171
900
0.95
-177
0.78
45
0.007
2
0.87
-172
1000
0.96
-177
0.65
43
0.008
-40
0.90
-170
I
DQ
= 1.5 A
f
MHz
S
11
S
21
S
12
S
22
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
50
0.92
-165
19.90
95
0.017
3
0.76
-164
100
0.90
-172
9.93
88
0.018
2
0.77
-170
200
0.91
-176
4.84
80
0.016
-4
0.77
-172
300
0.91
-176
3.10
74
0.014
-11
0.80
-172
400
0.92
-176
2.22
68
0.014
-14
0.81
-172
500
0.93
-176
1.73
64
0.016
-8
0.83
-171
600
0.94
-176
1.39
61
0.013
-24
0.85
-171
700
0.94
-176
1.12
56
0.013
-24
0.87
-171
800
0.95
-176
0.93
52
0.009
-12
0.87
-171
900
0.96
-177
0.78
46
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10
0.87
-173
1000
0.97
-177
0.64
44
0.012
4
0.89
-169
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