參數(shù)資料
型號： MRF1511T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 477K
代理商： MRF1511T1
A
A
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511T1
Table 5. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 7.5 Vdc)
I
DQ
= 150 mA
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
30
0.88
-165
18.92
95
0.015
8
0.84
-169
50
0.88
-171
11.47
91
0.016
-5
0.84
-173
100
0.87
-175
5.66
85
0.016
-7
0.84
-176
150
0.87
-176
3.75
82
0.015
-5
0.85
-176
200
0.87
-177
2.78
78
0.014
-6
0.84
-176
250
0.87
-177
2.16
75
0.014
-10
0.85
-176
300
0.88
-177
1.77
72
0.012
-17
0.86
-176
350
0.88
-177
1.49
69
0.013
-11
0.86
-176
400
0.88
-177
1.26
66
0.013
-17
0.87
-175
450
0.88
-177
1.08
64
0.011
-20
0.87
-175
500
0.89
-176
0.96
63
0.012
-20
0.88
-175
I
DQ
= 800 mA
S
21
∠ φ
f
S
11
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
30
0.89
-166
18.89
95
0.014
10
0.85
-170
50
0.88
-172
11.44
91
0.015
8
0.84
-174
100
0.87
-175
5.65
86
0.016
-2
0.85
-176
150
0.87
-177
3.74
82
0.014
-8
0.84
-177
200
0.87
-177
2.78
78
0.013
-18
0.85
-177
250
0.88
-177
2.16
75
0.012
-11
0.85
-176
300
0.88
-177
1.77
73
0.015
-15
0.86
-176
350
0.88
-177
1.50
70
0.009
-7
0.87
-176
400
0.88
-177
1.26
67
0.012
-3
0.87
-176
450
0.88
-177
1.09
65
0.012
-18
0.87
-175
500
0.89
-177
0.97
64
0.009
-10
0.88
-175
I
DQ
= 1.5 A
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
30
0.90
-168
17.89
95
0.013
2
0.86
-172
50
0.89
-173
10.76
91
0.013
3
0.86
-175
100
0.88
-176
5.32
86
0.014
-19
0.86
-177
150
0.88
-177
3.53
83
0.013
-6
0.86
-177
200
0.88
-177
2.63
80
0.011
-4
0.86
-177
250
0.88
-178
2.05
77
0.012
-14
0.86
-177
300
0.88
-177
1.69
75
0.013
-2
0.87
-177
350
0.89
-177
1.43
72
0.010
-9
0.87
-176
400
0.89
-177
1.22
70
0.014
-3
0.88
-176
450
0.89
-177
1.06
68
0.011
-8
0.88
-176
500
0.89
-177
0.94
67
0.011
-15
0.88
-176
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF1513NT1 RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET
MRF1517NT1 RF Power Field Effect Transistor
MRF1550FNT1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF1570FT1 RF Power Field Effect Transistors
MRF1570NT1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF1513N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1513NT1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FET PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF1513NT1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1513NT1_0806 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF1513NT1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF1513NT1 Series 520 MHz 3 W 12.5 V Lateral N-Ch Broadband RF Power Mosfet
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*