參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1511T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 477K
代理商： MRF1511T1
A
A
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511T1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
2
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
50
0
70
0
10
E
30
60
40
3
1
E
Figure 4. Gain versus Output Power
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
8
6
14
Figure 5. Drain Efficiency versus Output Power
2
G
5
Figure 6. Output Power versus Biasing Current
12
I
DQ
,BIASINGCURRENT(mA)
4
Figure 7. Drain Efficiency versus
Biasing Current
80
I
DQ
,BIASINGCURRENT(mA)
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
4
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
2
Figure 9. Drain Efficiency versus Supply Voltage
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
30
14
8
4
0
40
60
70
40
400
0
8
14
600
1000
80
5
6
10
10
16
200
50
4
12
P
200
1000
400
600
P
6
14
16
12
6
12
8
16
3
1
60
4
6
10
12
E
50
70
4
7
5
8
6
9
20
10
175 MHz
155 MHz
135 MHz
V
DD
= 7.5 V
175 MHz
155 MHz
135 MHz
V
DD
= 7.5 V
7
10
9
8
6
800
7
8
9
11
175 MHz
155 MHz
135 MHz
V
DD
= 7.5 V
P
in
= 27 dBm
800
175 MHz
155 MHz
135 MHz
V
DD
= 7.5 V
P
in
= 27 dBm
10
175 MHz
155 MHz
135 MHz
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 27 dBm
10
175 MHz
155 MHz
135 MHz
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 27 dBm
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PDF描述
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