參數(shù)資料
型號： MRF1511NT1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 230K
代理商： MRF1511NT1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511NT1 MRF1511T1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 35 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate
Source Leakage Current
(V
GS
= 10 Vdc, V
DS
= 0)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 7.5 Vdc, I
D
= 170
μ
A)
V
GS(th)
1.0
1.6
2.1
Vdc
Drain
Source On
Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.4
—
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
iss
—
100
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
oss
—
53
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
8
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture)
Common
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 175 MHz)
G
ps
10
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 175 MHz)
η
50
55
—
%
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