參數(shù)資料
型號(hào)： MRD6S18060MR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 14/20頁(yè)
文件大小： 694K
代理商： MRD6S18060MR1
A
A
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
Figure 24. Series Equivalent Source and Load Impedance — 1800 MHz
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
1805
1840
4.16 - j7.56
3.56 - j7.21
3.89 - j7.40
3.29 - j4.91
3.10 - j4.69
2.88 - j4.45
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 65 W CW
1880
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
o
= 10
Ω
f = 1880 MHz
Z
load
Z
source
f = 1805 MHz
f = 1880 MHz
f = 1805 MHz
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PDF描述
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MRF01P-HRMJ Push-On Coaxial Connectors (PC Card Type 2 Mountable)
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