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參數(shù)資料
| 型號： | MR2A16AVTS35C |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內存 |
| 文件頁數(shù)： | 4/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | MR2A16AVTS35C |
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
4
Freescale Semiconductor
Electrical Specifications
Table 3. Absolute Maximum Ratings
1
Parameter
Symbol
V
DD
V
In
I
Out
P
D
Value
–0.5 to 4.0
–0.5 to V
DD
+ 0.5
±
20
0.600
Unit
V
V
mA
W
Supply voltage
2
Voltage on any pin
2
Output current per pin
Package power dissipation
3
Temperature under bias
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
Storage temperature
Lead temperature during solder (3 minute max)
Maximum magnetic field during write
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
Maximum magnetic field during read or standby
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
T
Bias
–10 to 85
–45 to 95
–45 to 110
–55 to 150
260
C
T
stg
T
Lead
C
C
H
max_write
15
25
25
Oe
H
max_read
100
100
100
Oe
NOTES:
1
Permanent device damage may occur if absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to recommended operating conditions. Exposure to excessive voltages or magnetic
fields could affect device reliability.
All voltages are referenced to V
SS
.
Power dissipation capability depends on package characteristics and use environment.
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2S08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S08AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4A08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MR2A16AVYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AVYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR-2A-24 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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