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參數(shù)資料
| 型號： | MR2A16AVTS35C |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內存 |
| 文件頁數(shù)： | 2/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | MR2A16AVTS35C |
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
2
Freescale Semiconductor
Device Pin Assignment
Figure 1. Block Diagram
Device Pin Assignment
Figure 2. MR2A16A in 44-Pin TSOP Type II Package
UPPER BYTE OUTPUT ENABLE
LOWER BYTE OUTPUT ENABLE
COLUMN
DECODER
ROW
DECODER
256K x 16
BIT
MEMORY
ARRAY
FINAL
WRITE
DRIVERS
SENSE
AMPS
UPPER BYTE WRITE ENABLE
LOWER BYTE WRITE ENABLE
OUTPUT
ENABLE
BUFFER
CHIP
ENABLE
BUFFER
WRITE
ENABLE
BUFFER
BYTE
ENABLE
BUFFER
ADDRESS
BUFFERS
UPPER
BYTE
OUTPUT
BUFFER
LOWER
BYTE
OUTPUT
BUFFER
UPPER
BYTE
WRITE
DRIVER
LOWER
BYTE
WRITE
DRIVER
DQL[7:0]
DQU[15:8]
G
E
W
UB
LB
8
10
8
8
8
8
16
16
18
A[17:0]
8
8
8
8
UB
LB
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A17
A16
A15
G
UB
LB
DQU15
DQU14
DQU13
DQU12
V
SS
V
DD
DQU11
DQU10
DQU9
DQU8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A0
A1
A2
A3
A4
E
DQL0
DQL1
DQL2
DQL3
V
DD
V
SS
DQL4
DQL5
DQL6
DQL7
W
A5
A6
A7
A8
A9
Table 1. Pin Functions
Signal Name
Function
A[17:0]
Address input
E
Chip enable
W
Write enable
G
Output enable
UB
Upper byte select
LB
Lower byte select
DQL[7:0]
Data I/O, lower byte
DQU[15:8]
Data I/O, upper byte
V
DD
V
SS
NC
Power supply
Ground
Do not connect this pin
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2S08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S08AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4A08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MR2A16AVYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AVYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR2A16AYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR-2A-24 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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