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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MR0A16ACTS35C |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/22頁(yè) |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | MR0A16ACTS35C |
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Electrical Specifications
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
7
Figure 3. Output Load for ac Test
Table 7. Capacitance
1
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Address input capacitance
C
In
—
6
pF
Control input capacitance
C
In
—
6
pF
Input/output capacitance
C
I/O
—
8
pF
NOTES:
1
f = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T
A
= 25C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 8. ac Measurement Conditions
Parameter
Value
1.5 V
1.5 V
0 or 3.0 V
2 ns
See Figure 3A
See Figure 3B
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
A
B
OUTPUT
R
L
= 50
Ω
V
L
= 1.5 V
Z
D
= 50
Ω
OUTPUT
600
Ω
725
Ω
5 pF
+3.3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR0A16ACYS35 | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR0A16AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR0A16AVYS35 | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR0S08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR0S08ACYS35 | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MR0A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A16ACYS35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A16AMA35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A16AMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| MR0A16AMYS35 | 制造商:Everspin Technologies 功能描述:IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
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