參數(shù)資料
型號(hào): MR0A16ACTS35C
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述: 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
中文描述: 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù): 11/22頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商: MR0A16ACTS35C
Timing Specifications
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
11
Figure 6. Write Cycle 1 (W Controlled)
t
AVAV
t
AVWH
A (ADDRESS)
t
WLEH
t
WLWH
DATA VALID
E (CHIP ENABLE)
W
(
WRITE ENABLE)
LB,UB (BYTE ENABLE)
Q (DATA OUT)
t
DVWH
t
WLQZ
t
WHDX
D (DATA IN)
t
WHAX
Hi-Z
Hi-Z
t
AVWL
t
WHQX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MR0A16ACYS35 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
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MR0S08ACTS35C 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR0S08ACYS35 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MR0A16ACYS35 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
MR0A16ACYS35R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
MR0A16AMA35 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
MR0A16AMA35R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
MR0A16AMYS35 制造商:Everspin Technologies 功能描述:IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP