參數(shù)資料
型號： MPSW51A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： MPSW51A
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
–20
–100
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
–5.0
–1.0
–20
–4.0
Cobo
Cibo
160
120
80
0
–50
,
f
–200
–1000
–500
300
–10
–2.0
–25
–5.0
–15
–3.0
40
C
TJ = 25
°
C
Cobo
Cibo
VCE = –10 V
TJ = 25
°
C
f = 20 MHz
Figure 7. Active Region — Safe Operating
Area
–10
–1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–30
I
–2.0
–5.0
–40
–1.0 k
MPSW51
MPSW51A
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
–20
DUTY CYCLE
≤
10%
TA = 25
°
C
TC = 25
°
C
1.0 ms
1.0 ms
100 s
相關PDF資料
PDF描述
MPSW51 One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)
MPSW51A ne Watt High Current Transistors
MPSW92 One Watt High Voltage Transistor
MPSW92 One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MPX10 0 to 10 kPa (0-1.45 psi) 35 mV FULL SCALE SPAN (TYPICAL)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW51AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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