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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW14 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | MPSW14 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS(1)
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MPSW13
MPSW14
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MPSW13
MPSW14
hFE
5,000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
1.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(2)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
VBE(on)
—
2.0
Vdc
fT
125
—
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width
2. fT = |hfe|
ftest.
300 s, Duty Cycle
2.0%.
500
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200 k
100 k
70 k
50 k
IB, BASE CURRENT ( A)
5.0
50
2.0
1.0
0.5
h
,
V
20 k
30
10
20
100
200
10
20
0.5
1.0 2.0
1.5
2.5
3.0
0.1
0.2
100
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC =
50 mA
IC =
10 mA
IC =
500 mA
IC =
250 mA
1.5
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
20
I
2.0
5.0
30
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
TA = 25
°
C
TC = 25
°
C
1.0 ms
1.0 s
100 s
Figure 1. Active Region — Safe Operating
Area
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
7.0
70
50
300
10 k
7.0 k
5.0 k
2.0 k
30 k
3.0 k
VCE = 5.0 V
–55
°
C
25
°
C
500
200
1000
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW14 | One Watt Darlington Transistors |
| MPSW45 | One Watt Darlington Transistors |
| MPSW45 | One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW45A | One Watt Darlington Transistors |
| MPSW51 | ne Watt High Current Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW3725_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW42G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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