參數(shù)資料
型號： MPSW06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： CASE 29-10, TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： MPSW06
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS(1)
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
80
60
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 250 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
—
0.4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 250 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
1.2
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 200 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 V, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
12
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
200
100
80
60
40
h
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 1.0 V
300
500
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.05
0.1
10
1.0
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
0.2
0.5
2.0
5.0
20
100 mA
250 mA
50
mA
50
500 mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1.0
200
20
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
500
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PDF描述
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MPSW06_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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